Dulliau peiriannu a ddefnyddir yn eang ar hyn o bryd megis torri, malu, caboli, ac ati, oherwydd bodolaeth micro-graciau yn y deunyddiau wedi'u prosesu neu'r diffygion ansawdd yn y crisialu, ni waeth sut i wella'r cywirdeb peiriannu a gwella'r offer peiriannu, mae yna rai cyfyngiadau bob amser. Cynigiodd yr Athro Mori Yongzheng, Cyfadran Peirianneg, Prifysgol Osaka, Japan, ddull prosesu newydd gan ddefnyddio nwy cemegol, o'r enw dull plasma CVM, sef technoleg sy'n defnyddio adweithiau cemegol atomig i gael arwynebau hynod fanwl gywir. Ei egwyddor brosesu Fel ysgythru plasma, yn y plasma, mae'r radicalau rhydd actifedig yn adweithio ag arwyneb y darn gwaith, gan eu troi'n foleciwlau anweddol, a gwireddir y prosesu gan anweddiad nwy, ac mae'r plasma'n cael ei gynhyrchu o dan bwysau uchel. , yn gallu cynhyrchu dwyseddau uchel iawn
radicalau rhydd, felly gall y dull prosesu hwn gyflawni cyflymder prosesu sy'n debyg i ddulliau prosesu mecanyddol.
Ar bwysedd uchel, mae'r plasma wedi'i gyfyngu ger yr electrodau oherwydd llwybr rhad ac am ddim cymedrig hynod fach y moleciwlau nwy. Felly gellir ei brosesu trwy sganio electrod, O. Gall rhannau o unrhyw siâp gyda thrachywiredd o 0 1μm hefyd brosesu awyren silicon grisial sengl ar gyflymder o 50μm/min, a gall garwedd wyneb y darn gwaith wedi'i brosesu. cyrraedd 0.1nm (Rrms).
Yn y ganrif nesaf, bydd technoleg CVM yn cael ei gymhwyso mewn llawer o feysydd megis prosesu sglodion silicon a phrosesu lens asfferig ar gyfer dyfeisiau datguddio lled-ddargludyddion. Ar hyn o bryd, mae rhai pobl yn astudio'r cyfuniad o CVM ac EEM i brosesu atomau fel drychau pelydr-X ar gyfer syncrotronau. Arwyneb gwastad mympwyol.